氧化鋅將成為創(chuàng)造高性能LED的突破點
2008年12月19日 10:31 6048次瀏覽 來源： 中國有色網(wǎng) 分類： 鉛鋅資訊
據(jù)國外媒體報道，德國科學家采用氫進行摻雜的方法制造出更高性能的LED和其他半導體。他們稱，在使用氧化鋅制造半導體時，合理控制氫原子將成為一個關鍵。半導體摻雜是激活半導體的必要條件，它將外來的原子摻進晶體里，而該原子可以釋放（n型摻雜）或吸收一個電子（p型摻雜）。這樣就在固體內(nèi)部創(chuàng)造一個空穴。
科學家已經(jīng)在努力將氫和p型摻雜結(jié)合，但是氫原子更加容易進行n型摻雜，但是這會阻礙半導體工藝。而P型摻雜才能制造LED和半導體。而氧化鋅到處都是——每年全球的產(chǎn)量為數(shù)千噸。
責任編輯：安會珍
如需了解更多信息，請登錄中國有色網(wǎng)：m.jxjad.com了解更多信息。
中國有色網(wǎng)聲明：本網(wǎng)所有內(nèi)容的版權均屬于作者或頁面內(nèi)聲明的版權人。
凡注明文章來源為“中國有色金屬報”或 “中國有色網(wǎng)”的文章，均為中國有色網(wǎng)原創(chuàng)或者是合作機構(gòu)授權同意發(fā)布的文章。
如需轉(zhuǎn)載，轉(zhuǎn)載方必須與中國有色網(wǎng)（ 郵件：cnmn@cnmn.com.cn 或 電話：010-63971479）聯(lián)系，簽署授權協(xié)議，取得轉(zhuǎn)載授權；
凡本網(wǎng)注明“來源：“XXX（非中國有色網(wǎng)或非中國有色金屬報）”的文章，均轉(zhuǎn)載自其它媒體，轉(zhuǎn)載目的在于傳遞更多信息，并不構(gòu)成投資建議，僅供讀者參考。
若據(jù)本文章操作，所有后果讀者自負，中國有色網(wǎng)概不負任何責任。
